型号:  DMP10H4D2S-7

功能描述:  MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  270 mA

Rds On-漏源导通电阻:  4.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  1.8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  440 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.975 mm

长度:  2.9 mm

系列:  DMP10

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  1.3 mm

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  4.9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.6 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  8.4 ns

典型接通延迟时间:  3.3 ns

单位重量:  8 mg