型号: DMP2010UFG-13
功能描述: MOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI3333-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 42 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 103 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 900 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
系列: DMP2010
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 110 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 235 ns
典型接通延迟时间: 9.7 ns
单位重量: 72 mg
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