型号:  DMP2100UFU-7

功能描述:  MOSFET Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  U-DFN2030-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  5.7 A

Rds On-漏源导通电阻:  25 mOhms, 25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  21.4 nC, 21.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.9 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMP2100

晶体管类型:  2 P-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  396 ns, 396 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  144 ns, 144 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  626 ns, 626 ns

典型接通延迟时间:  70 ns, 70 ns

单位重量:  12 mg