型号: DMP2170U-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 7.8nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 303pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 780mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 90 毫欧 @ 3.5A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-23
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘先生
电话：13482238368
Q Q:
联系人：楊
电话：1342-4228536
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13926575670
Q Q:
