型号:  DMP3098LSS-13

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DMP

单位重量：  851 mg

高度：  1.5 mm

长度：  4.95 mm

宽度：  3.9 mm

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single Quad Drain Triple Source

下降时间：  9.5 ns

典型接通延迟时间：  6 ns

上升时间：  5 ns

Vgs-栅极-源极电压：  20 V

Pd-功率耗散：  2.5 W

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  - 5.3 A

Vds-漏源极击穿电压：  - 30 V

晶体管类型：  1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  65 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  P-Channel

典型关闭延迟时间：  17.6 ns

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  5.3A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  7.8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  336pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  65 毫欧 @ 5.3A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-SOIC

封装形式Package：  SOP

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  5.3A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs