型号:  DMP510DL-13

功能描述:  MOSFET P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  50 V

Id-连续漏极电流:  180 mA

Rds On-漏源导通电阻:  10 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  310 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

高度:  0.975 mm

长度:  2.9 mm

系列:  DMP510

宽度:  1.3 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  0.25 S

下降时间:  7.2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.6 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11.1 ns

典型接通延迟时间:  2.8 ns

单位重量:  8 mg