型号: DMT10H010LK3-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 68.8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 6V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 53.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2592pF @ 50V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 3W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 8.8 毫欧 @ 13A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 否
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