型号: DMT10H010SPS-13
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI5060-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 113 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 56.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 139 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 29.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 44.8 ns
典型接通延迟时间: 18.6 ns
单位重量: 97 mg
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