型号: DMT10H015SK3-13
功能描述: MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 14 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 30.1nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2343pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta），4.2W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：周星星
电话：19820226596
Q Q:
联系人：彭
电话：19397987461
Q Q:
联系人：刘
电话：13701717479
Q Q:
