型号:  DMT10H015LSS-13

功能描述:  MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  8.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  16 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  33.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.2 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.5 mm

长度:  4.95 mm

系列:  DMT10

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.95 mm

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  8.1 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19.7 ns

典型接通延迟时间:  6.5 ns

单位重量:  74 mg