型号:  DMT6012LSS-13

功能描述:  MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  10.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  700 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  22.2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  13.4 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  12.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  6.7 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25.5 ns

典型接通延迟时间:  4.4 ns

单位重量:  74 mg