型号: DMT6017LFDF-7
功能描述: MOSFET 41V~60V U-DFN2020-6
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 65V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 18 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 15.3nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 891pF @ 30V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 800mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：周
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13554783822
Q Q:
联系人：Nick
电话：13113012901
Q Q:
