型号: DMTH10H010LCT
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 108A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 53.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2592pF @ 50V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）, 166W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 9.5 毫欧 @ 13A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 否
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：马先生
电话：13420956442
Q Q:
联系人：陈
电话：18002532730
Q Q:
联系人：方工
Q Q:
