型号:  DMTH6004SPSQ-13

功能描述:  MOSFET 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerDI5060-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  100 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  95.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  167 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

产品:  MOSFETs

系列:  DMTH6004

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  N-Channel Enhancement Mode MOSFET

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  12 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11.7 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  31 ns

典型接通延迟时间:  13.2 ns

单位重量:  96 mg