型号: DMTH6005LK3-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 90A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 47.1nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2962pF @ 30V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），100W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5.6 毫欧 @ 50A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑金凤
电话：15563751808
Q Q:
联系人：郭
电话：13590239548
Q Q:
联系人：李维
电话：13714220997
Q Q:
