型号: DMTH6009LK3-13
功能描述: MOSFET N-CH 60V 14.2A
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 14.2A（Ta），59A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 33.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1925pF @ 30V
Vgs（最大值）： ±16V
功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta）, 60W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 10 毫欧 @ 13.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 14.2A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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