型号: DMTH6010LPD-13
功能描述: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
制造商: Diodes Incorporated
系列： 汽车级，AEC-Q101
FET类型： 2 个 N 沟道（双）
FET功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 13.1A（Ta），47.6A（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 11 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 40.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2615pF @ 30V
功率-最大值： 2.8W
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerDI5060-8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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