型号: DMTH6010SCT
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
系列： 汽车级，AEC-Q101
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 100A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 36.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1940pF @ 30V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），125W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 7.2 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：闻经理
电话：18662156627
Q Q:
联系人：范妍菲
电话：18928456050
Q Q:
联系人：刘先生
电话：13332984962
Q Q:
