型号:  DMTH6009LK3Q-13

功能描述:  MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  59 A

Rds On-漏源导通电阻:  10 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  33.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  60 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.39 mm

长度:  6.7 mm

产品:  MOSFET

系列:  DMTH6009LK3

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  N-Channel Enhancement Mode MOSFET

宽度:  6.2 mm

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  15.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8.6 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  35.9 ns

典型接通延迟时间:  4.5 ns