型号: DTB123ECT116
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2): 2.2 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 39 @ 50mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 200MHz
功率 - 最大值: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SST3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
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