型号: DXTN3C60PS-13
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
集电极—射极饱和电压: 270 mV
最大直流电集电极电流: 8 A
增益带宽产品fT: 140 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: DXTN3C60
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 3 A
Pd-功率耗散: 5 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
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