型号:  DZT5551-13

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000mW 160Vceo

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-4

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  160 V

集电极—基极电压 VCBO:  180 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  6 V

集电极—射极饱和电压:  200 mV

最大直流电集电极电流:  600 mA

增益带宽产品fT:  300 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  DZT5551

高度:  1.65 mm

长度:  6.7 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  3.7 mm

商标:  Diodes Incorporated

直流集电极/Base Gain hfe Min:  30 at 50 mA, 5 V

Pd-功率耗散:  1000 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  2500

子类别:  Transistors

单位重量:  112 mg