型号: ECH8601M-TL-H
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 23 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： 1.6W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SMD，扁平引线
供应商器件封装： 8-ECH
其它名称： ECH8601M-TL-H-NDECH8601M-TL-HOSTR
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