型号: EFC4615R-TR
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 31 毫欧 @ 3A,4.5V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-XBGA,4-FCBGA
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss): 24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 6A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss): 24V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
Vgs(最大值): ±12V
供应商器件封装: EFCP1515-4CC-037
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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