型号: EFC4615R-TR
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 31 毫欧 @ 3A，4.5V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 4-XBGA，4-FCBGA
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 8.8nC @ 4.5V
漏源电压（Vdss）： 24V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
供应商器件封装： EFCP1515-4CC-037
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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