型号:  EFC6612R-TF

功能描述:  MOSFET NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  CSP-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Rds On-漏源导通电阻:  4.2 mOhms, 4.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  27 nC, 27 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  EFC6612R

晶体管类型:  2 N-channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  4.7 S, 4.7 S

下降时间:  92 us, 92 us

产品类型:  MOSFET

上升时间:  640 ns, 640 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11.8 us, 11.8 us

典型接通延迟时间:  30 ns, 30 ns