型号: EPC1001
功能描述: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
制造商: EPC
应用说明: Second Generation eGaN® FETsThermal Performance of eGaN® FETsAssembling eGaN® FETSUsing eGaN® FETs
视频文件: EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey
RoHS指令信息: Lead Free/RoHS Statement
PCN Obsolescence: EPC1yyy Series 09/Sept/2011
标准包装: 1
类别: 分立式导体产品
家庭: FET - 单
系列: eGaN®
包装: 剪切带 (CT)
FET 类型: GaNFET N 通道,氮化镓
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss): 100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时): 25A (Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): 7 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): 10.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): 800pF @ 50V
功率 - 最大值: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
产品目录页面: 1599 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 917-1000-1
ROHS: 含铅
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