型号: EPC2015C
功能描述: Trans Gan 40v 33a Bumped Die
制造商: EPC
FET 类型: N 沟道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源极电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 36A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1000pF @ 20V
Vgs（最大值）: +6V，-4V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 毫欧 @ 33A，5V
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 模具
封装/外壳: 模具
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