型号: EPC2016C
功能描述:
制造商: EPC
FET 类型： N 沟道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 4.5nC @ 5V
Vgs（最大值）： +6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 420pF @ 50V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 16 毫欧 @ 11A，5V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 模具
封装/外壳： 模具
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：15018507275
Q Q:
联系人：杨小姐
电话：15019204563
Q Q:
联系人：张博
电话：13066839225
Q Q:
