型号: EPC2021ENGR
功能描述: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
制造商: EPC
包装: 剪切带（CT）
系列: eGaN®
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 2.5 毫欧 @ 29A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 14mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 15nC @ 5V
Vgs（最大值）: +6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1700pF @ 40V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 模具
封装/外壳: 模具
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