型号: EPC2025ENGR
功能描述: EPC/分立半导体产品
制造商: EPC
特色产品: EPC2025 300 V Enhancement-Mode GaN Transistors
标准包装: 10
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: eGaN®
包装: 托盘
FET 类型: GaNFET N 通道,氮化镓
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 150 毫欧 @ 3A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 194pF @ 240V
功率 - 最大值: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具剖面(12 焊条)
配用: 917-1074-ND - EVAL BOARD EGAN FET EPC2025
其它名称: 917-EPC2025ENGREPC2025ENGRC
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