型号: EPC2025ENGR
功能描述: EPC/分立半导体产品
制造商: EPC
特色产品： EPC2025 300 V Enhancement-Mode GaN Transistors
标准包装： 10
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： eGaN®
包装： 托盘
FET 类型： GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 150 毫欧 @ 3A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 194pF @ 240V
功率 - 最大值： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
供应商器件封装： 模具剖面（12 焊条）
配用： 917-1074-ND - EVAL BOARD EGAN FET EPC2025
其它名称： 917-EPC2025ENGREPC2025ENGRC
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