型号: EPC2023
功能描述:
制造商: EPC
FET 类型： N 沟道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 60A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 20mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2300pF @ 15V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.3 毫欧 @ 40A，5V
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 模具
封装/外壳： 模具
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：罗建飞
电话：18718527983
Q Q:
联系人：程双
电话：18390158827
Q Q:
