EPC2100ENG规格参数_EPC2100ENG全国代理商/分销商

型号: EPC2100ENG
功能描述: EPC/分立半导体产品
制造商: EPC
产品培训模块： eGaN® Integrated GaN Power
特色产品： EPC2100 Transistors and EPC9036 Dev Board EPC - EPC9037-EPC9041 Development Boards
标准包装： 10
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装：托盘
FET 类型： 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能： GaNFET（氮化镓）
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A，40A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 8 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 3.5nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 290pF @ 15V
功率 - 最大值： -
安装类型：表面贴装
封装/外壳：模具
供应商器件封装：模具
配用： 917-1062-ND - BOARD DEV FOR EPC2100 30V EGAN
其它名称： 917-EPC2100ENGEPC2100ENGR_H1EPC2100ENGRH1