型号: EPC2101
功能描述: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
制造商: EPC
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: eGaN®
零件状态: 有源
FET 类型: 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 9.5A，38A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 2.7nC @ 5V，12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 300pF @ 30V，1200pF @ 30V
功率 - 最大值: -
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
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Q Q:
联系人：骆小姐，周小姐，高先生，曹先生
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联系人：连
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