型号: EPC2103ENG
功能描述: EPC/分立半导体产品
制造商: EPC
产品培训模块： eGaN® Integrated GaN Power
标准包装： 10
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： eGaN®
包装： 托盘
FET 类型： 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能： GaNFET（氮化镓）
漏源极电压（Vdss）： 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 23A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.5 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 6.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 760pF @ 40V
功率 - 最大值： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
供应商器件封装： 模具
配用： 917-1065-ND - BOARD DEV FOR EPC2103 80V EGAN
其它名称： 917-EPC2103ENGEPC2103ENGRH7
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