型号: EPC2105ENGRT
功能描述:
制造商: EPC
FET 类型： 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 14.5 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 2.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 300pF @ 40V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
供应商器件封装： 模具
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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