型号: EPC2108ENGRT
功能描述:
制造商: EPC
FET 类型： 3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
FET 功能： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 60V，100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.7A，500mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 9-VFBGA
供应商器件封装： 9-BGA (1.35x1.35)
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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