型号: EPC8002TENGR
功能描述: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
制造商: EPC
FET特点： Logic Level Gate
封装： Bulk
安装类型： *
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C： 2A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id： 2.5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）： 65V
供应商设备封装： Die
开态Rds（最大）@ Id ，V GS： 530 mOhm @ 500mA, 5V
FET型： GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
标准包装： 2
输入电容（Ciss ） @ VDS： 21pF @ 32.5V
封装/外壳： Die
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