型号: EPC8007TENGR
功能描述: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
制造商: EPC
应用说明: Assembling eGaN® FETSDie Attach ProcedureDie Removal Procedure
标准包装: 2
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: eGaN®
包装: 托盘
FET 类型: GaNFET N 通道,氮化镓
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss): 40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时): 3.8A (Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): 160 毫欧 @ 500mA, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): 0.302nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): 39pF @ 20V
功率 - 最大值: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
其它名称: 917-EPC8007AENGR917-EPC8007AENGR-ND917-EPC8007TENGREPC8007AENGR
ROHS: 无铅
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