型号: FA210601FV4XP
功能描述: Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 31265 Tray
制造商: Infineon Technologies AG
供应商封装形式： Case 31265
最大频率： 2170
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 200
通道模式： Enhancement
输出功率： 12
包装高度： 3.56
安装： Surface Mount
Typical Drain Efficiency ： 42
渠道类型： N
封装： Tray
最大漏源电阻： 150(Typ)@10V
最低工作温度： -40
每个芯片的元件数： 1
包装宽度： 10.16
典型功率增益： 16
PCB： 3
包装长度： 10.16
最大功率耗散： 196000
最大漏源电压： 65
引脚数： 3
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