型号: FCH023N65S3
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 7.5mA 漏源导通电阻：23mΩ @ 37.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：595W 类型：N沟道
制造商: ON(安森美)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 75A
栅源极阈值电压: 4.5V @ 7.5mA
漏源导通电阻: 23mΩ @ 37.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 595W
类型: N沟道
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