型号:  FCH041N65F-F085

功能描述:  MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  76 A

Rds On-漏源导通电阻:  96 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  234 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  595 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  SuperFET II

封装:  Tube

高度:  20.82 mm

长度:  15.87 mm

系列:  FCH041N65F_F085

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.82 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:  8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  39 ns

工厂包装数量:  450

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  183 ns

典型接通延迟时间:  55 ns

零件号别名:  FCH041N65F_F085

单位重量:  6.390 g