FCP190N60规格参数_FCP190N60全国代理商/分销商

型号: FCP190N60
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
特色产品： FCP190N60E/FCP380N60E SuperFET® II SuperFET® II and SuperFET® II Easy-Drive MOSFETs Cloud Systems Computing High-Voltage MOSFETs
标准包装： 50
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SuperFET® II
包装：管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 20.2A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 199 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 74nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2950pF @ 25V
功率 - 最大值： 208W
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220