型号: FDB20AN06A0_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 45 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.017 Ohms at 10 V
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263AB
封装: Reel
下降时间: 33 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 90 W
上升时间: 98 ns
典型关闭延迟时间: 23 ns
联系人：黄小姐
电话：13691998603
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：陈传城
电话：13612342533
Q Q:
联系人：周然
电话：13724311148
Q Q:
联系人：秦
电话：18888241966
Q Q:
