型号: FDC5614P_D87Z
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 759pF @ 30V
功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 105 毫欧 @ 3A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SuperSOT™-6
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18188616609
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：易先生
电话：18673966974
Q Q:
联系人：黄宏宇
电话：15017940560
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13546883728
Q Q:
