型号: FDD2570
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 62nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1907pF @ 75V
功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），70W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 80 毫欧 @ 4.7A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-252
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：林先生
电话：15017951615
Q Q:
联系人：张泽民
电话：13640913839
Q Q:
联系人：党先生
电话：13807139923
Q Q:
