型号: FDD6N25TM/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
制造商: fairchild semiconductor
包装: 3DPAK
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 250 V
最大连续漏极电流: 4.4 A
RDS -于: 1100@10V mOhm
最大门源电压: ±30 V
典型导通延迟时间: 10 ns
典型上升时间: 25 ns
典型关闭延迟时间: 7 ns
典型下降时间: 12 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
标准包装: Cut Tape
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