型号: FDD8424H-F085A
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 和 P 沟道
FET 功能： 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A，6.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 24 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1000pF @ 20V
功率 - 最大值： 1.3W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
供应商器件封装： TO-252-4L
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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