型号:  FDFMA2P029Z-F106

功能描述:  MOSFET -20V-3.1A95OHMpchPWR TRNCHmosfetSCHTKYdio

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  MicroFET-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  3.1 A

Rds On-漏源导通电阻:  60 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  10 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.4 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

系列:  FDFMA2P029Z

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  - 11 S

下降时间:  36 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  37 ns

典型接通延迟时间:  13 ns

零件号别名:  FDFMA2P029Z_F106