型号: FDFMA2P853T
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： PowerTrench®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 二极管（隔离式）
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 120 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 435pF @ 10V
功率 - 最大值： 700mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）
其它名称： FDFMA2P853T-NDFDFMA2P853TTR
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：赵s
电话：18902449956
Q Q:
联系人：赵先生
电话：13632611027
Q Q:
联系人：张先生
电话：19967512226
Q Q:
