型号: FDG314P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 25 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: - 0.65 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.1 Ohms
配置: Single Quad Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
封装: Reel
下降时间: 8 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 0.9 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.75 W
上升时间: 8 ns
典型关闭延迟时间: 55 ns
联系人：王
电话：13631598171
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：庄
电话：15913959769
Q Q:
联系人：黄女士
电话：18922814044
Q Q:
联系人：朱超
Q Q:
